碳含量：≥99.99%（4N级）至99.999%（5N级）
密度：1.70~1.95 g/cm³（等静压石墨）
各向同性：热/电性能方向差异<1.1（等静压工艺）
单晶硅生长：坩埚&热场部件（要求灰分<20ppm）
外延设备：SiC外延托盘（需耐1600℃+低金属污染）
单晶炉热场：导流筒、保温筒（寿命>200炉次）
燃料电池：双极板（导电+耐腐蚀）
慢化材料：高温气冷堆用核级石墨（硼含量<0.1ppm）
EDM电极：镜面加工用细晶石墨（粒径<5μm）
