制备工艺

(1) 原料选择

• 使用天然鳞片石墨或石油焦为原料，需预先酸洗（HCl/HF）去除金属杂质。

(2) 高温纯化

• 卤素气体处理：在2500–3000°C下通入Cl₂、F₂等，挥发金属杂质（如Fe、Al形成氯化物）。

• 真空热处理：进一步去除残留气体和碳化物。

(3) CVD辅助纯化

• 通过化学气相沉积（CVD）在基底上生长超纯石墨层，避免原料污染。

(4) 后处理

• 超纯水清洗、无尘室加工，避免二次污染。

3. 核心应用

(1) 光谱分析

• 标准样品载体：用于原子吸收光谱（AAS）、电感耦合等离子体（ICP）分析，避免杂质干扰检测信号。

• X射线荧光（XRF）：作为低背景样品台。

(2) 半导体与单晶生长

• 坩埚材料：生长GaAs、SiC等单晶，避免金属污染。

• 外延衬底：用于石墨烯或氮化镓（GaN）外延生长。

(3) 核工业

• 慢化剂或反射层：高纯度减少中子吸收（硼含量需＜0.1 ppm）。

(4) 高能物理

• 粒子探测器组件（如对撞机靶材）。

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