半导体石墨治具的核心应用场景

(1) 晶圆制造环节

应用场景	功能要求
外延生长(EPI)	承载硅片，要求表面粗糙度Ra≤0.2μm，避免晶格缺陷
离子注入	高纯度(≥99.999%)，防止金属污染
扩散炉	耐高温(1200℃+)，抗热冲击（快速升降温）

(2) 封装测试环节

• 探针卡基板：高导电性+低热膨胀系数(CTE≤4×10⁻⁶/℃)

• BGA植球治具：精密定位孔加工(±5μm公差)

(3) 第三代半导体关键制程

• 碳化硅(SiC)外延盘：需超纯等静压石墨(灰分<5ppm)

• 氮化镓(GaN)MOCVD托盘：表面CVD-SiC涂层处理

使用维护规范

• 存放：Class 100洁净柜，氮气保护

• 清洗：兆声波清洗(避免IPA浸泡)

• 寿命监控：每50次循环做SEM表面分析

• 
  

行业发展趋势

• 极紫外(EUV)光刻配套：开发低放气石墨组件

• 复合材质治具：石墨-碳化硅异质结结构应用

• 智能化监控：嵌入RFID芯片追溯使用历史