半导体石墨制品凭借耐高温、高纯度、化学稳定性等特性，在半导体制造中占据关键地位，广泛应用于单晶生长、离子注入、蚀刻等核心工艺环节。其主要应用场景包括：

•     SiC长晶炉部件：如石墨坩埚、加热器、籽晶托等，用于PVT法制备SiC单晶，需承受2200℃以上高温并保持低污染。
•     外延生长基座：GaN薄膜外延用石墨盘需具备均匀导热性和抗热震性，表面常涂覆SiC涂层以增强稳定性。
•     离子注入设备：飞行管、电极罩等部件依赖高纯石墨的抗离子轰击和低杂质特性。
•     等离子蚀刻部件：石墨电极在等离子体环境中耐腐蚀，可减少工艺污染。